Descrizione
Descrizione
Il suscettore in grafite MOCVD è un componente fondamentale all'interno dei sistemi MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition). Funziona come una piattaforma termicamente conduttiva ad alta-temperatura progettata per trattenere in modo sicuro e riscaldare uniformemente i substrati semiconduttori durante la crescita epitassiale dei film sottili.
imballaggio e consegna
Confezione in scatola di legno
caratteristica
- Eccellente conduttività termica per un trasferimento di calore rapido e uniforme
- Elevata resistenza meccanica e stabilità dimensionale in condizioni estreme
- Superficie liscia e lavorata con precisione per un posizionamento stabile del substrato
- Progettato per influenzare la dinamica del flusso di gas e i gradienti termici
vantaggio
- Garantisce uno spessore uniforme del film e una qualità cristallina superiore nell'epi-strato
- Consente elevata ripetibilità del processo e resa grazie al controllo stabile della temperatura del substrato
- Prolunga la durata e riduce la contaminazione da particelle grazie alla resistenza alla corrosione
- Mantiene l'integrità strutturale nonostante i ripetuti cicli termici, garantendo l'affidabilità del processo
applicazione
- Utilizzato principalmente nei reattori MOCVD per la crescita epitassiale di strati semiconduttori composti (ad esempio GaN, GaAs, InP) su substrati come silicio, carburo di silicio o zaffiro.
- Essenziale per la produzione di dispositivi optoelettronici (LED, diodi laser) e semiconduttori di potenza a radio-frequenza (RF).



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